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Preliminary Technical Information
High Voltage
Power MOSFETs
IXTH03N400
IXTV03N400S
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
4000V
300mA
290 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
TO-247 (IXTH)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
4000
4000
V
V
G
D
S
D (Tab)
V GSS
Continuous
± 20
V
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
± 30
300
800
V
mA
mA
PLUS220SMD (IXTV_S)
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
130
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
G
S
D (Tab)
D = Drain
Tab = Drain
M d
F C
Mounting Torque (TO-247)
Mounting Force (PLUS220)
1.13 / 10
11..65 / 25..14.6
Nm/lb.in.
N/lb.
Weight
PLUS220
TO-247
4
6
g
g
Features
International Standard Packages
Fast Intrinsic Rectifier
Molding Epoxies meet UL 94 V-0
Flammability Classification
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
4000 V
2.0 4.0 V
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = 0.8 ? V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
± 100 nA
10 μ A
750 μ A
290 Ω
Applications
High Voltage Power Supplies
Capacitor Discharge
Pulse Circuits
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100214A(04/12)
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